专利详情

专利名称	用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料
申请号	CN200910046633.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101488558	公开（授权）日	2009.07.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	凌云;龚岳峰;宋志棠;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;C22C12/00(2006.01)I
专利有效期	用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料至用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了一种用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料，其组分为(Sb_xSe_1-x)_1-yM_y， y为0.2％-15％原子比，x为50％-95％原子比，掺杂元素M为钨元素、铝元素、铟元素、银元素、铜元素、镍元素、镓元素、钛元素、锡元素、氧元素、及氮元素中的一者或两者。本发明所提供的M-Sb-Se相变薄膜材料比常用的Ge₂Sb₂Te₅材料具有更快的结晶速度，可以有更快的读写速度，有着更好的数据保持特性，有着比SbSe两元材料更好的热稳定性。同时该材料不含元素Te，是一种环境友好材料，与CMOS工艺兼容性好。