专利详情

专利名称	一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法
申请号	CN200910046376.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101488475	公开（授权）日	2009.07.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王新中;于广辉;林朝通;曹明霞;卢海峰;李晓良;巩航;齐鸣;李爱珍
主分类号	H01L21/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/78(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I
专利有效期	一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法至一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法，其特征在于采用了带有钝化层超大纳米孔径GaN作为厚膜的模板。在生长厚膜GaN之前，在(0001)面蓝宝石衬底上，沉积一层GaN薄膜，然后在其上蒸发一层金属 Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，然后将其刻蚀成多孔状，接着往多孔GaN孔中沉积一层介质SiO₂或SiN_x薄层，这样就在GaN 模板上得到了带有钝化层超大纳米孔径的结构，经过清洗后，最后把这个多孔衬底置于HVPE反应腔内生长GaN厚膜。本发明提供的方法避免了光刻制作掩膜的复杂工艺，而且将孔隙尺寸缩小到纳米量级，金属Al和SiO₂层均可采用电子束蒸发、溅射等方法来制备。