专利详情

专利名称	一种基于表面微机械加工的绝对压力传感器芯片及制作方法
申请号	CN200910046040.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101487747	公开（授权）日	2009.07.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王权;李昕欣;鲍敏杭
主分类号	G01L1/18(2006.01)I	IPC主分类号	G01L1/18(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I;B81C5/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种基于表面微机械加工的绝对压力传感器芯片及制作方法至一种基于表面微机械加工的绝对压力传感器芯片及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于表面微机械加工的绝对压力传感器芯片及制作方法，其特征是采用由低应力的氮化硅薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层，多晶硅薄膜形成力敏电阻条。将低应力的氮化硅薄膜膜区设计为长矩形，根据膜区的应力分布，充分利用多晶硅电阻条的纵向压阻效应，以及尽量利用膜上张应力的区域，将一对电阻条的一部分放到了薄膜的外面，另外两个电阻条布置在膜的中心位置。并将每个电阻条的打折的弯角部分开接触孔淀积金属将其导通。采用与IC工艺兼容表面微机械加工工艺，可以制作量程从 1KPa～1MPa高灵敏度，稳定性佳，高精度的绝对压力传感器芯片。