
形貌及尺寸可控半导体纳米晶的绿色合成方法
- 申请号:CN200910066557.4
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院长春应用化学研究所
- 公开(公开)号:CN101486451
- 公开(公开)日:2009.07.22
- 法律状态:授权
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专利详情
专利名称 | 形貌及尺寸可控半导体纳米晶的绿色合成方法 | ||
申请号 | CN200910066557.4 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101486451 | 公开(授权)日 | 2009.07.22 |
申请(专利权)人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明(设计)人 | 杨秀荣;孙明 |
主分类号 | C01B19/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B19/04(2006.01)I |
专利有效期 | 形貌及尺寸可控半导体纳米晶的绿色合成方法 至形貌及尺寸可控半导体纳米晶的绿色合成方法 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 本发明提供了形貌及尺寸可控的硒化镉纳米晶的绿色合成方法。 用天然植物油作溶剂兼配体,用不同的硒源和氧化镉为前驱体,通过 调节配体与前体的比例,所得到的纳米晶,尺寸可调节范围为 2nm-13nm,长度与直径之比的范围为1-10,有高的结晶度,荧光量 子效率为15%-40%,荧光发射光谱为490nm-660nm。所得点状纳米 晶可以在高温下保持稳定的闪锌矿结构,且尺寸分布较窄fwhm=27 ±1nm。所得棒状或多枝状(两脚状,三脚状,四脚状)纳米晶,尺 寸分布很窄,荧光半峰宽fwhm=23±1nm。所得弧状及无规棒状纳 米晶,具有不同的曲率半径,纤锌矿,闪锌矿,孪晶,位错同时存在 于一个纳米单晶中。 |
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