专利详情

专利名称	一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法
申请号	CN201010278047.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102400188A	公开（授权）日	2012.04.04
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	金帅;尤泽升;卢磊
主分类号	C25D3/38(2006.01)I	IPC主分类号	C25D3/38(2006.01)I
专利有效期	一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法至一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及纳米结构金属材料领域，具体地说是一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法，其微观结构由柱状晶粒组成，晶粒尺寸在1-50微米范围内，各晶粒内部均匀分布着高密度的纳米孪晶片层结构，孪晶片层的厚度从30纳米到几百纳米不等。结构特点：<111>织构，柱状晶粒，小角晶界；垂直于生长方向的纳米尺寸孪晶片层，∑3共格孪晶界面；晶粒尺寸、孪晶片层可控生长，块体，其强度可达到粗晶铜的10倍。本发明利用传统的直流电解沉积技术，只需对工艺条件稍作改变，控制适当的镀液组成和沉积参数即可。本发明可解决现有技术中铜材料存在的性能问题，获得的铜材料性能优良，具有高强度的同时，具有高热稳定性、高导电性和塑性。