专利详情

专利名称	包含夹层的相变存储器及制作方法
申请号	CN200910045870.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101478030	公开（授权）日	2009.07.08
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘波;宋志棠;张挺;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	包含夹层的相变存储器及制作方法至包含夹层的相变存储器及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及包含夹层的相变存储器单元及制作方法，其特征在于在电极材料层与相变材料层之间添加单质金属夹层的结构，所述的单质金属夹层的厚度小于10nm。所述的添加单质金属夹层为下述三种结构中的任一种：① 单质金属夹层位于下电极层和相变材料层之间；②单质金属夹层位于相变材料层和上电极层之间；③单质金属的第一夹层位于下电极层和相变材料层之间，单质金属的第二夹层位于相变材料层和上电极层之间，且第一夹层和第二夹层的单质金属组分和厚度可相同或不相同，由于夹层的引入能够提高相变材料的结晶速度、降低相变材料的熔点，与传统的相变存储器结构相比，包含夹层的相变存储器具有较高编程速度和较低的编程功耗。