专利详情

专利名称	三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法
申请号	CN200910045084.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101477987	公开（授权）日	2009.07.08
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明
主分类号	H01L27/10(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/10(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法至三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示一种三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法。电阻转换存储器包括基底、若干第一布线、若干第二布线、若干存储单元阵列。多个平行设置的第一布线设置于基底上；多个相互平行的第二布线设置于基底上、与第一布线绝缘分离、并与第一布线交叉配置；呈矩阵排列的存储单元阵列层叠设置于基底上，上下相邻的两个存储单元阵列之间、存储单元阵列与基底之间至少设置第一布线、第二布线中的一个；存储单元阵列包括电阻转换存储单元、多晶半导体肖特基二极管。本方法可形成高质量的金属-半导体接触，成本较低，有望在三维高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。