专利详情

专利名称	纳米尺寸超导热电子测辐射热仪的制备方法
申请号	CN200910045670.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101476940	公开（授权）日	2009.07.08
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	尤立星;杨晓燕
主分类号	G01J5/10(2006.01)I	IPC主分类号	G01J5/10(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	纳米尺寸超导热电子测辐射热仪的制备方法至纳米尺寸超导热电子测辐射热仪的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种纳米尺寸超导热电子测辐射热仪(SHEB)制备方法，包括以下步骤：(1)超薄超导薄膜准备；(2)电极制作；(3)广义微桥形成； (4)纳米尺寸桥区形成。其特征是：在(4)中，采用原子力显微镜纳米刻蚀方法构造纳米尺寸桥区。本发明的优点是：采用原子力显微镜纳米刻蚀方法可以实现纳米尺寸的微桥。其桥区长度由AFM纳米刻蚀所形成的纳米线条的宽度所决定。而纳米线条的宽度由AFM针尖电压、周围环境的湿度、温度以及电场作用时间等参数所控制。该方法可以减小SHEB的有效尺寸，适用于各种不同纳米尺寸的SHEB制备。