专利详情

专利名称	掺杂钆钇钪镓石榴石、钆钇钪镓铝石榴石及其熔体法晶体生长方法
申请号	CN200810246217.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101476156	公开（授权）日	2009.07.08
申请（专利权）人	中国科学院安徽光学精密机械研究所	发明（设计）人	张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;刘文鹏;丁丽华;谷长江;秦清海;李为民
主分类号	C30B29/28(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/28(2006.01)I
专利有效期	掺杂钆钇钪镓石榴石、钆钇钪镓铝石榴石及其熔体法晶体生长方法至掺杂钆钇钪镓石榴石、钆钇钪镓铝石榴石及其熔体法晶体生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了掺杂钆钇钪镓石榴石、钆钇钪镓铝石榴石及其熔体法晶体生长方法，制备钆钇钪镓石榴石、钆钇钪镓铝石榴石激光晶体RE_3z:Gd_3x+δY_3(1-x-z)+δSc_2+δ′Ga_3+δ″O_12+Δ1、 RE_3z:Gd_3x+δY_3(1-x-z)+δSc_2+δ′Ga_3(1-y)+δ″Al_3y+δ″O_12+Δ2、 RE′_3z′RE″_3(z-z′):Gd_3x+δY_3(1-x-z)+δSc_2+δ′Ga_3+δ″O_12+Δ1、 RE′_3z′RE″_3(z-z′):Gd_3x+δY_3(1-x-z)+δSc_2+δ′Ga_3(1-y)+δ″Al_3y+δ″O_12+Δ2(RE、RE′、RE″＝Yb、Nd、 Er、Tm、Ho、Pr、Eu、Sm)。可用RE₂O₃、RE′₂O₃、RE″₂O₃、Gd₂O₃、Y₂O₃、Sc₂O₃、 Ga₂O₃、Al₂O₃，或相应的其它化合物进行配料；配制好的原料经充分混合、压制成形、高温煅烧或不经高温煅烧后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料加入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法晶体生长的初始熔体，所获得的晶体可用作固体激光工作物质。