高压电应变常数d31、低压电电压常数g31压电陶瓷材料及其制备方法
- 申请号：CN200910045909.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN101475373
- 公开(公开)日：2009.07.08
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 高压电应变常数d31、低压电电压常数g31压电陶瓷材料及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN200910045909.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101475373 | 公开（授权）日 | 2009.07.08 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李玉臣;姚烈;董显林;梁瑞虹 |
| 主分类号 | C04B35/472(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/472(2006.01)I;C04B35/49(2006.01)I;C04B35/491(2006.01)I;C04B35/495(2006.01)I;C04B35/14(2006.01)I;C04B35/50(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)N |
| 专利有效期 | 高压电应变常数d31、低压电电压常数g31压电陶瓷材料及其制备方法 至高压电应变常数d31、低压电电压常数g31压电陶瓷材料及其制备方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 一种高压电应变常数d31、低压电电压常数g31压电陶瓷材料及其制备方法， 属陶瓷组成与制备领域。该压电陶瓷材料的化学通式为： xPbZrO3+yPbTiO3+zPb(Mg1/3Nb2/3)O3+mSrTiO3+nBaTiO3+pLaTiO3+awt.％SiO2+bwt.％La 2O3+cwt.％Nb2O5+dwt.％Sb2O3。其中，x＝0.2～0.5；y＝0.2～0.5；z＝0.1～0.4；m＝0.0～ 0.10；n＝0.0～0.10；p＝0.0～0.10；a＝0～0.5；b＝0～0.5；c＝0～0.5；d＝0～0.5。 本发明在传统压电陶瓷工艺基础上进行改进制备，材料标准片的主要性能为： d33＝974pC/N，d31＝-388pC/N，ε33T/εo＝7000，g31＝-6.26，k31＝0.42；本发明材料具有 较高的压电应变常数d31和相对低的压电电压常数g31，是一种性能优良的压电陶 瓷双晶片驱动型材料。用本材料制成的压电陶瓷双晶片致动元件，已提供中国 盲文出版社，用于制作盲文电子显示器，双晶片端点位移量大，力度强，稳定 性好，盲人手感明显，已完全取代同类进口产品。 | ||
交易流程
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