专利详情

专利名称	纳米尺度下界面陷阱产生的巨压阻及其制作方法
申请号	CN200910045556.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101475140	公开（授权）日	2009.07.08
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	杨永亮;李昕欣
主分类号	B82B1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;G01L1/18(2006.01)I;G01P15/12(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I
专利有效期	纳米尺度下界面陷阱产生的巨压阻及其制作方法至纳米尺度下界面陷阱产生的巨压阻及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及纳米尺度下界面陷阱作用产生的巨压阻效应以及纳米巨压阻的制作方法，属于微电子机械系统领域。本发明所述巨压阻的具体特征是压阻的厚度在纳米量级，压阻效应来源于硅和二氧化硅处界面的电子陷阱效应。传统体硅的压阻效应来源于应力下载流子迁移率的改变，而本发明所述的纳米尺度下的巨压阻是在应力作用下硅和二氧化硅处界面的电子陷阱作用改变载流子的浓度产生的。随着压阻厚度的减小，界面效应占的比例越大，界面陷阱产生的压阻效应也越明显。本发明制作的压阻具有压阻系数大，横向压阻和纵向压阻电阻值变化相同，和半导体工艺兼容的优点，可以运用于传感器和微电子机械系统中。