专利详情

专利名称	二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器
申请号	CN200710304220.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101471421	公开（授权）日	2009.07.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘琦;刘明;龙世兵;贾锐;管伟华
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I
专利有效期	二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器至二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种基于离子注入的二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器，该存储器包括：一上导电电极；一下导电电极；一位于该上导电电极与下导电电极之间的二元过渡族金属氧化物薄膜，该二元过渡族金属氧化物薄膜中注入有离子。本发明在二元过渡族金属氧化物中注入离子，可以极大地提高器件的产率，增加器件高、低阻态之间的比值，减小各个器件之间电阻转变特性的离散值。本发明的存储器器件具有结构简单，易集成，成本低，与传统的硅平面 CMOS工艺兼容等优点，有利于本发明的广泛推广和应用。