专利详情

专利名称	适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法
申请号	CN200710303895.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101471260	公开（授权）日	2009.07.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	黎明;徐静波;付晓君
主分类号	H01L21/335(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法至适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT 器件的栅退火方法，该方法包括：采用湿法腐蚀形成隔离台面，然后光刻栅条；蒸发Ti/Pt/Au栅金属结构，接着常规剥离形成金属图形；最后在高温快速退火炉内，在氮气气氛下退火，温度范围为280至320 度，时间为10至40分钟，形成增强型器件栅极。利用本发明，解决了DCFL IC的逻辑摆幅Vm小(受势垒高度的固有限制)的问题，达到了精确控制E-HEMT域值电压Vth的目的，成功制作了稳定一致的增强型器件，保证了增强型器件域值电压在零以上，确保了E/D型器件及其逻辑电路正常工作。