专利详情

专利名称	低压低功耗的CMOS电压基准参考电路
申请号	CN200710304219.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101470459	公开（授权）日	2009.07.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王晗;叶青
主分类号	G05F3/24(2006.01)I	IPC主分类号	G05F3/24(2006.01)I
专利有效期	低压低功耗的CMOS电压基准参考电路至低压低功耗的CMOS电压基准参考电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种低压低功耗的CMOS电压基准参考电路，用于产生一基准电压，该CMOS电压基准参考电路包括一启动电路11，一自偏置电流源12，一具有负温度系数的电压产生器13、一基准电压调节器14，以及一单管电流镜MOS晶体管M₀。该电路采用工作在亚阈值区的MOS晶体管来产生具有负温度系数的电压，同时利用工作在亚阈值区的MOS晶体管的套筒和折叠结构代替电阻放大具有正温度系数的电压，使其与具有负温度系数的电压相抵消，从而产生了与温度无关的基准电压。本发明的基准电路由于消除了电阻、电容等无源器件以及运算放大器的使用，大大减小了电路的元件数目和静态工作电流，从而减小了电路的功耗和面积。