专利详情

专利名称	平板式等离子体增强化学汽相淀积设备的反应室结构
申请号	CN200710303894.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101469414	公开（授权）日	2009.07.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘训春;周宗义;李兵;张育胜;王佳;张永利
主分类号	C23C16/505(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/505(2006.01)I
专利有效期	平板式等离子体增强化学汽相淀积设备的反应室结构至平板式等离子体增强化学汽相淀积设备的反应室结构	法律状态	授权
说明书摘要	本发明一种平板式等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)设备的反应室结构，涉及微电子技术，是由内真空室与外腔室嵌套组成；内真空室上段的顶壁由具有伸缩功能的波纹管与外腔室连接；内真空室上段的顶壁外侧通过螺杆与外腔室顶面的堵转电机连接，以堵转电机控制内真空室上段的升降；内真空室的工作压强高于外腔室。反应室内真空室中的载片盘与内真空室下段的侧壁不接触，避免载片台上的热量向外壁传导，以便载片台可以很快加热到很高的温度。本发明的反应室结构可以避免系统漏气的影响，明显地改善淀积薄膜的质量，降低粉尘；有利于提高衬底温度和新材料的生长。