专利详情

专利名称	肖特基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法
申请号	CN200810205004.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101465383	公开（授权）日	2009.06.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明
主分类号	H01L29/872(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/872(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I
专利有效期	肖特基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法至肖特基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示一种多晶硅肖特基二极管及其制造方法、电阻转换存储器的制造方法。多晶硅肖特基二极管包括多晶硅半导体层、及与多晶硅形成肖特基接触的金属层。所述半导体层为通过金属诱导法、或气相沉积法、或准分子激光脉冲法制备得到的多晶硅材料。所述金属层与多晶硅层之间形成稳定的肖特基接触，所述金属层为金属单质、或为合金。本发明通过多晶硅的沉积辅助以退火处理，使其与特定金属形成肖特基接触制造肖特基二极管，成本上具有竞争力，更有望在三维的立体电阻转换存储电路中得到广泛应用。