专利详情

专利名称	实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法
申请号	CN200810204987.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101465324	公开（授权）日	2009.06.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;刘卫丽;陈超
主分类号	H01L21/822(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/822(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I
专利有效期	实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法至实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示一种实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法，该方法首先采用室温等离子体活化键合技术将有外围电路的硅片与外延了pn结的SOI片键合；并在150℃-400℃下低温退火，以加强键合强度；然后用KOH溶液腐蚀掉SOI片的体硅部分，并且腐蚀自动停止在埋氧层，用稀释的HF酸溶液漂掉埋氧层，从而使pn结外延层转移到有外围电路的硅片上，在硅外延层上沉积阻挡层、相变材料，最后通过反应离子刻蚀得到想要的单元器件结构，该结构适用于高密度、高速存储。本发明通过室温等离子活化键合技术使得在低于400℃的退火条件下即可得到较强的键合强度，避免了硅片上已有的电路结构受到高温退火的影响而引起的性能衰变。