制备β-氧化铝陶瓷膜的方法
- 申请号：CN200910044892.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN101462868
- 公开(公开)日：2009.06.24
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 制备β-氧化铝陶瓷膜的方法 | ||
| 申请号 | CN200910044892.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101462868 | 公开（授权）日 | 2009.06.24 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 温兆银;李宁;徐小刚;吴相伟;林久;顾中华;徐孝和;刘宇;张敬超 |
| 主分类号 | C04B35/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/10(2006.01)I;C04B35/632(2006.01)I |
| 专利有效期 | 制备β-氧化铝陶瓷膜的方法 至制备β-氧化铝陶瓷膜的方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种制备β-氧化铝陶瓷膜的方法，具体涉及一种流延法制备 β-Al2O3陶瓷膜，属于离子导电陶瓷材料领域。本发明使用粘结剂、塑性剂、分 散剂等有机添加剂制备良好的流变性能的浆料，并通过流延成型获得具有一定 的强度和柔韧性的beta-Al2O3生坯膜；通过对生坯的后续烧结，获得 beta-Al2O3陶瓷膜。制备得到厚度为100～300μm的beta-Al2O3陶瓷膜，相 对密度高达97.3％，200℃下电导率达到0.012Scm-1。整个过程工艺设备简 单，成本低。 | ||
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