专利详情

专利名称	包括多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构的热电材料
申请号	CN201010170373.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101924502A	公开（授权）日	2010.12.22
申请（专利权）人	通用汽车环球科技运作公司;中国科学院上海陶瓷研究所	发明（设计）人	J·杨;X·施;S·白;W·张;L·陈;J·杨
主分类号	H02N11/00(2006.01)I	IPC主分类号	H02N11/00(2006.01)I
专利有效期	包括多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构的热电材料至包括多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构的热电材料	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及包括多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构的热电材料。一种热电材料，其包括具有如下通式的多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构：在公式中，A选自钡，锶，和铕；X选自硅，锗，和锡；M选自铝，镓，和铟；TM1，TM2和TMn各自选自3d、4d和5d过渡金属；y1，y2，yn和Z分别是TM1，TM2，TMn和M的实际组成。所述实际组成基于得自下面方程的名义组成：z＝8·qA-\|Δq1\|y1-\|Δq2\|y2-...-\|Δqn\|yn其中，qA是A的电荷态，Δq1，Δq2，Δq3分别是第一，第二和第n个TM的名义电荷态。