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一种GaAs肖特基变容二极管及其制作方法

  • 申请号:CN200910087347.3
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN101924142A
  • 公开(公开)日:2010.12.22
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种GaAs肖特基变容二极管及其制作方法
申请号 CN200910087347.3 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101924142A 公开(授权)日 2010.12.22
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 董军荣;杨浩;吴如菲;黄杰
主分类号 H01L29/93(2006.01)I IPC主分类号 H01L29/93(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I
专利有效期 一种GaAs肖特基变容二极管及其制作方法 至一种GaAs肖特基变容二极管及其制作方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种GaAs肖特基变容二极管,该GaAs肖特基变容二极管包括:用于支撑整个GaAs肖特基变容二极管的GaAs绝缘衬底;在该GaAs绝缘衬底上外延生长的高掺杂N+层,在N+层上继续外延生长的普通掺杂的N型层;经过挖岛、隔离两个工艺步骤,在N型层、N+层上形成的台面结构;在N型层上蒸发金属形成肖特基接触的上电极;以及在N+层上蒸发金属形成欧姆接触的下电极。本发明同时公开了一种GaAs肖特基变容二极管的制作方法。利用本发明,在不改变肖特基二极管特性的前提下采用平面制造工艺,减小了器件体积,提高了集成度。

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