专利详情

专利名称	防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法
申请号	CN201010212125.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101924138A	公开（授权）日	2010.12.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	肖德元;王曦;黄晓橹;陈静
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I
专利有效期	防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法至防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法。该MOS器件结构，包括Si衬底和位于Si衬底之上的有源区，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区，在沟道之上设有栅区，在源区、漏区及沟道两侧与Si衬底之间设有绝缘埋层，在沟道中部与Si衬底之间设有SiGe隔层。该MOS器件结构的沟道可以通过SiGe隔层向Si衬底导电导热，防止了器件的浮体效应及自加热效应；在源漏区及沟道两侧与Si衬底之间保留绝缘埋层，可减小源漏区的寄生电容。该器件结构采用SiSiGeSi外延层通过刻蚀、掺杂、选择性刻蚀、填充绝缘介质等工艺制备，其步骤简单，易于实施，具有重要的应用价值。