专利详情

专利名称	一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法
申请号	CN201010231639.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101924030A	公开（授权）日	2010.12.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司	发明（设计）人	程新红;何大伟;王中健;徐大伟;宋朝瑞;俞跃辉
主分类号	H01L21/283(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/283(2006.01)I
专利有效期	一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法至一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法，该方法包括以下步骤：步骤一，将高阻SOI衬底进行预处理，然后装入薄膜沉积腔内；步骤二，在高阻SOI衬底的上表面原位生长厚度不大于1nm的Al2O3薄膜；步骤三，在所述Al2O3薄膜上原位生长厚度不大于30nm的HfO2薄膜；步骤四，在所述HfO2薄膜上原位沉积吸氧金属盖帽层；步骤五，退火处理。本发明抑制了界面层生长，有利于高k栅介质等效栅氧厚度的减薄，提高了高k栅介质的结晶温度，减少了界面层厚度和界面态密度，改善了高阻SOI上高k栅介质的电学性能。