专利详情

专利名称	一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法
申请号	CN201110162483.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102719891A	公开（授权）日	2012.10.10
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	刘岗;谢英鹏;成会明
主分类号	C30B29/16(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/16(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I
专利有效期	一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法至一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及三氧化钨晶体领域，具体为一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，通过湿化学过程以硼化钨为前驱体水热生长晶面暴露比例不同三氧化钨晶体，能够解决针对不同的反应体系提供具有不同的氧化还原能力的三氧化钨光催化剂的问题。将前驱体装入有硝酸水溶液的反应釜中，经加热处理，可得到{002}晶面占优的三氧化钨晶体。将前驱体装入有氢氟酸水溶液或氢氟酸乙醇溶液或氢氟酸水、乙醇混合溶液的反应釜中，经加热处理，可得到氢钨青铜立方晶体，氢钨青铜晶体经空气中热处理，可得到{002}、{200}、{020}晶面比例相等的三氧化钨晶体。从而，制备出具有规则形貌的、晶面比例不同的、具有很好光解水产氧能力的三氧化钨晶体。