一种制备有机场效应晶体管的方法
- 申请号：CN200710179352.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN101459222
- 公开(公开)日：2009.06.17
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种制备有机场效应晶体管的方法 | ||
| 申请号 | CN200710179352.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101459222 | 公开（授权）日 | 2009.06.17 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 甄丽娟;刘明;商立伟;刘舸 |
| 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种制备有机场效应晶体管的方法 至一种制备有机场效应晶体管的方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备有机场效应晶体管的方法，该方法包括： 在衬底上采用光刻和剥离工艺形成分立的金属栅电极；在衬底和栅电 极上形成栅介质绝缘层；在栅介质绝缘层上旋涂光刻胶，经过曝光显 影得到光刻胶掩模版图形；在栅介质绝缘层和光刻胶掩模版图形上垂 直蒸镀形成有机半导体层；采用两次倾斜蒸镀，分别形成源、漏电极。 本发明在制备源、漏电极时巧妙利用斜蒸，简化了工艺步骤的同时也 避免了对有机层的损伤。 | ||
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