自对准肖特基二极管及相应电阻转换存储器制造方法
- 申请号：CN200810207298.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号：CN101459129
- 公开(公开)日：2009.06.17
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 自对准肖特基二极管及相应电阻转换存储器制造方法 | ||
| 申请号 | CN200810207298.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101459129 | 公开（授权）日 | 2009.06.17 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 |
| 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 专利有效期 | 自对准肖特基二极管及相应电阻转换存储器制造方法 至自对准肖特基二极管及相应电阻转换存储器制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种采用自对准法制造肖特基二极管阵列的方法，此方法用较少的工艺 步骤制造二极管阵列，有效节省了光刻次数，采用特定的金属与半导体，使两者之间形 成稳定的肖特基接触，用于肖特基二极管的形成，进而对存储器件进行选通。作为本发 明的一部分，还包括基于自对准肖特基二极管阵列的电阻转换存储器的制造方法。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言