专利详情

专利名称	一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法
申请号	CN200710179353.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101459080	公开（授权）日	2009.06.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李诚瞻;魏珂;郑英奎;刘果果;和致经;刘新宇;刘键
主分类号	H01L21/335(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/335(2006.01)I
专利有效期	一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法至一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制作GaN基场效应晶体管的方法，包括：对 GaN基材料层进行表面处理，淀积二氧化硅保护层；光刻形成光刻对准标记，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发标记金属；光刻形成源漏图形，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发源漏金属；高温退火合金；光刻形成屏蔽有源区图形，离子注入形成有源区隔离；湿法腐蚀二氧化硅保护层；在GaN基材料表面淀积氮化硅，对场效应管进行钝化；电子束直写或光学光刻制作栅线条，干法刻蚀氮化硅和顶层的GaN基材料层形成栅槽结构，蒸发栅金属，金属布线。本发明避免了GaN基材料表面裸露在空气中，防止了GaN基材料表面在制作工艺过程中被污染，抑制了AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应。