专利详情

专利名称	基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计
申请号	CN200710179354.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101458337	公开（授权）日	2009.06.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘梦新;韩郑生;赵超荣;刘刚
主分类号	G01T1/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01T1/02(2006.01)I
专利有效期	基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计至基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及电离辐射剂量测量领域，公开了一种基于SOI技术的可重复利用PMOS辐射剂量计，包括背栅电极、多晶硅化物层、半导体衬底、隐埋氧化层、顶层硅膜、体接触区、源区、漏区、源电极、漏电极、正栅氧化层、正栅多晶硅层和正栅电极。本发明将剂量计制作于SOI衬底之上，具有两种测量不同剂量率的电极探头；采用不同方式的正、背栅调栅注入以调节探头测量范围；利用与顶层硅膜同型的重掺杂区域形成与源区短接的体接触；源/体、漏/体以及正、背栅与各自电极间利用多晶硅化物互联；正栅采用多根栅条叉指形式并联以增大探头敏感区域；剂量计退火过程控制及偏置条件、退火温度和时间调节；可调整量程的堆叠剂量计测量电路的方法及结构。