专利详情

专利名称	基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAs PIN光电探测器
申请号	CN201110120147.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102779892A	公开（授权）日	2012.11.14
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	盛振;仇超;甘甫烷;武爱民;杜骏杰;陈静;王曦;邹世昌
主分类号	H01L31/105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;G02B6/34(2006.01)I
专利有效期	基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAs PIN光电探测器至基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAs PIN光电探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAsPIN光电探测器，包括：SOI衬底；制作于SOI衬底顶层硅中的垂直耦合光栅；覆盖于垂直耦合光栅上的BCB键合层；位于BCB键合层之上的抗反射层；位于抗反射层之上的第一导电型磷化铟层；位于第一导电型磷化铟层之上的本征铟镓砷层；以及位于本征铟镓砷层之上的第二导电型磷化铟层；其中，垂直耦合光栅通过刻蚀SOI衬底的顶层硅制成，刻蚀深度为70-110nm；光栅周期为600-680nm；抗反射层的折射率介于BCB键合层与第一导电型磷化铟层之间。本发明的硅基InGaAsPIN光电探测器采用粘合性键合工艺将InP/InGaAs/InP叠堆材料层粘合于刻蚀在SOI衬底上的光栅上，使光与InP/InGaAs/InP层实现垂直耦合，为硅基InGaAs光电探测器的具体应用提供合适的设计及优化方案。