
尺寸可控半导体纳米簇和纳米晶的绿色合成方法
- 申请号:CN200810051635.9
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院长春应用化学研究所
- 公开(公开)号:CN101457403
- 公开(公开)日:2009.06.17
- 法律状态:授权
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专利详情
专利名称 | 尺寸可控半导体纳米簇和纳米晶的绿色合成方法 | ||
申请号 | CN200810051635.9 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101457403 | 公开(授权)日 | 2009.06.17 |
申请(专利权)人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明(设计)人 | 杨秀荣;孙明 |
主分类号 | C30B29/48(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/48(2006.01)I;C01B19/04(2006.01)I;C01G11/00(2006.01)I |
专利有效期 | 尺寸可控半导体纳米簇和纳米晶的绿色合成方法 至尺寸可控半导体纳米簇和纳米晶的绿色合成方法 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 本发明提供了尺寸可控的硒化镉纳米簇和纳米晶的绿色合成方 法。该方法采用一系列低毒/经济的配体,使用分散在非配位溶剂中 的硒单质和氧化镉为前体,在非配位溶剂中合成了硒化镉纳米簇和纳 米晶。通过调节配体与前体的比例,尺寸可调节范围为0.7nm-13nm。 所得到的纳米晶参数有高的结晶度,窄的尺寸分布fwhm=25±2nm, 相对高的荧光量子效率为5%-38%,荧光发射光谱调节范围为 450nm-690nm。 |
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