专利详情

专利名称	一种具有周期结构的半导体及其制备方法
申请号	CN201210174632.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102693900A	公开（授权）日	2012.09.26
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	姜海涛;魏星;张苗;狄增峰;武爱民;母志强
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种具有周期结构的半导体及其制备方法至一种具有周期结构的半导体及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种具有周期结构的半导体及其制备方法，首先提供一的AAO模板，所述AAO模板包括铝基底和具有周期排列的多个孔道的氧化铝层，于各该孔道内填充光刻胶，并使所述光刻胶覆盖所述氧化铝层，然后去除所述铝基底，接着去除各该孔道的底部以使所述孔道形成通孔，接着键合一半导体衬底及所述氧化铝层，并去除光刻胶，接着于所述通孔内填充半导体材料，最后去除所述氧化铝层，以完成所述具有周期结构的半导体的制备。本发明利用AAO模板实现了半导体周期结构的制备，工艺简单，成本低、可靠性和重复性好、且与半导体工艺兼容，采用本方法可制备出具有纳米级周期结构的半导体，适用于工业生产。