专利详情

专利名称	气敏层含有机异质结的有机半导体气体传感器
申请号	CN201110073330.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102692445A	公开（授权）日	2012.09.26
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	闫东航;王秀锦;纪世良
主分类号	G01N27/60(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/60(2006.01)I
专利有效期	气敏层含有机异质结的有机半导体气体传感器至气敏层含有机异质结的有机半导体气体传感器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供的气敏层含有机异质结的有机半导体气体传感器，其是利用两种有机半导体材料间发生电荷转移形成异质结，改变薄膜表面的氧化还原电势，从而提高传感器对敏感气体的响应，本发明提供的气敏层含有机异质结的有机半导体气体传感器室温条件下敏感性高，气敏层厚度小，有效的缩短了器件的响应/回复时间，并且利用真空沉积方法一次性完成器件的制备，不需要退火等后续工艺，简化了器件的制备过程；本发明提供的气敏层含有机异质结的有机半导体气体传感器可以检测体积分数为百万分之五的NO2气体，并且响应/回复均可以在10分钟内完成。