半导体器件
- 申请号：CN201190000097.6
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN202534635U
- 公开(公开)日：2012.11.14
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件 | ||
| 申请号 | CN201190000097.6 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN202534635U | 公开（授权）日 | 2012.11.14 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;钟汇才;朱慧珑;骆志炯 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件 至半导体器件 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 一种半导体器件，所述半导体器件包括：提供硅基底，所述硅基底上形成有栅堆叠结构，所述硅基底的晶面指数为{100}；形成层间介质层，覆盖所述硅基底的表面；在所述层间介质层和/或栅堆叠结构中形成第一沟槽，所述第一沟槽的延伸方向沿晶向<110>且垂直于所述栅堆叠结构的延伸方向；在所述第一沟槽中填充第一介质层，所述第一介质层为张应力介质层。本实用新型以较简单的工艺在沟道宽度方向引入张应力，提高了器件的响应速度，改善了器件性能。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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成功 - 06 支付尾款
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过户资料
平台保障
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