专利详情

专利名称	基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器
申请号	CN201220104052.X	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202534671U	公开（授权）日	2012.11.14
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	刘福浩;许金通;李向阳;王荣阳;刘秀娟;陶利友;刘诗嘉;孙晓宇
主分类号	H01L31/105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I
专利有效期	基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器至基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器，其结构为在图形化蓝宝石衬底上生长较厚缓冲层，包括低温缓冲层生长、重结晶、三维生长和二维生长，获得质量良好的GaN薄膜材料。再依次生长n+型GaN层、本征GaN层，p型GaN层。在p层表面淀积p欧姆接触电极，将p型薄膜层和本征层刻蚀至n+型薄膜层，刻蚀台面形状为圆形、方形或六边形，在n+型层上淀积n型欧姆接触电极，n型电极为环形或方形。生长钝化层并开孔，暴露出p、n型电极，最后在p电极与n电极上生长加厚电极。本专利方法所制备的器件，生长材料质量较高，位错、缺陷密度小，器件的暗电流小，性能稳定，反偏电压下暗电流几乎不变，量子效率却得到大幅提高。