专利详情

专利名称	一种采用双重控制技术生长蓝宝石晶体的方法
申请号	CN201210196884.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102691103A	公开（授权）日	2012.09.26
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	承刚;李京波;李永涛;董珊
主分类号	C30B29/20(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/20(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I
专利有效期	一种采用双重控制技术生长蓝宝石晶体的方法至一种采用双重控制技术生长蓝宝石晶体的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种采用双重控制技术生长蓝宝石晶体的方法，包括化料、引晶和晶体生长三个阶段，该方法在化料及引晶阶段采用电压控制方式，在晶体生长阶段采用功率控制方式。本发明通过双重控制技术，在晶体生长的各种情况下，对生长进行控制和干预，将有效的减少外网波段等电流波动得影响，同时保证了引晶阶段快速的温场调节需要，在保证了引晶的成功率的基础上，减少了晶体回熔、粘锅等电流波动造成的不稳定生长状态，生长出外径一致的高利用率，提高了蓝宝石晶体的成品率和利用率。