
一种基于真空镀膜的圆感应同步器屏蔽层结构的制备方法
- 申请号:CN201210211579.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号:CN102776475A
- 公开(公开)日:2012.11.14
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种基于真空镀膜的圆感应同步器屏蔽层结构的制备方法 | ||
申请号 | CN201210211579.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102776475A | 公开(授权)日 | 2012.11.14 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明(设计)人 | 陆强;杨旭东;章卫祖;邓容 |
主分类号 | C23C14/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;B05D7/14(2006.01)I;B05D3/02(2006.01)I;B05D3/12(2006.01)I;G01B7/30(2006.01)I |
专利有效期 | 一种基于真空镀膜的圆感应同步器屏蔽层结构的制备方法 至一种基于真空镀膜的圆感应同步器屏蔽层结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种基于真空镀膜的圆感应同步器屏蔽层结构的制备方法。圆感应同步器的定转子由基板、绝缘层和绕组组成,为了屏蔽电磁干扰,提高测角精度,在转子表面需镀屏蔽层。本发明专利是将环氧树脂层和真空镀膜层构成屏蔽层,能够解决屏蔽层在热真空环境下鼓泡的缺点,具有较高的可靠性。 |
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