专利详情

专利名称	可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器
申请号	CN201110117658.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102778479A	公开（授权）日	2012.11.14
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	殷华湘;陈大鹏
主分类号	G01N27/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/02(2006.01)I;G01N27/414(2006.01)I
专利有效期	可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器至可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器，本发明提供了一种气体传感器，包括：衬底；加热电极，形成在所述衬底上；信号检测电极，形成在所述衬底上，与所述加热电极共面；气体敏感探测薄膜，形成在所述衬底、所述加热电极以及所述信号检测电极上；其特征在于，所述气体敏感探测薄膜包括非晶态氧化物半导体。依照本发明的气体传感器，由于采用了非晶态半导体作为气体敏感探测薄膜，使得气体传感器可以采用半导体标准制造工艺，降低了成本，提高了器件的均匀性、响应速度，降低了工作温度和功耗，因此可以高效低成本大面积地集成。