专利详情

专利名称	基于分立式纳米石墨烯浮栅的新型低压高性能非易失性存储器
申请号	CN201210184172.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102709293A	公开（授权）日	2012.10.03
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	张广宇;杨蓉;时东霞
主分类号	H01L27/115(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/115(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I
专利有效期	基于分立式纳米石墨烯浮栅的新型低压高性能非易失性存储器至基于分立式纳米石墨烯浮栅的新型低压高性能非易失性存储器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于分立式纳米石墨烯浮栅的新型低压高性能非易失性存储器，包括：衬底、隧穿层、存储层、阻挡层和栅电极，所述存储层为分立的纳米石墨烯，利用纳米石墨烯的密度和尺寸调制作用，以及隧穿层的能带调制作用，可优化存储层中的电荷分布以及保持特性。本发明通过引入纳米石墨烯分立式浮栅，实现了低压操作下的低能耗非易失性闪速存储器，通过有效控制纳米石墨烯的密度和尺寸，以及调制隧穿氧化层的能带结构，可优化存储层中的电荷分布以及保持特性，实现器件的高性能操作。