专利详情

专利名称	GaN基LED网孔电极的制作方法
申请号	CN201210174972.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102709433A	公开（授权）日	2012.10.03
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王家鑫;吴奎;曾一平
主分类号	H01L33/38(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	GaN基LED网孔电极的制作方法至GaN基LED网孔电极的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种GaN基LED网孔电极的制作方法，包括以下步骤：1)在GaN基外延片的表面蒸镀ITO膜；2)在ITO膜的表面排列一单层紧密排列的自组装球；3)加热，使自组装球与ITO膜结合牢固；4)采用ICP方法，刻蚀自组装球，经过刻蚀后，自组装球间距变大，球半径减小；5)再加热，使自组装球在ITO膜表面有稍微塌陷，把点接触变成面接触；6)在自组装球的表面、间隙里及ITO膜的表面蒸镀金属；7)采用甲苯超声方法，去除自组装球表面的金属，保留ITO膜表面金属；8)高温处理，使自组装球气化，使ITO膜表面的金属形成网孔状电极，完成网孔电极的制作。具有电极的接触电阻小、透过率高、出光效率高以及电流分布均匀的优点。