专利详情

专利名称	高温高灵敏度压电陶瓷材料及其制备方法
申请号	CN200810205227.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101456732	公开（授权）日	2009.06.17
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	李玉臣;姚烈;朱怀志;董显林;张仲猷
主分类号	C04B35/49(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/49(2006.01)I;C04B35/491(2006.01)I;C04B35/472(2006.01)I;C04B35/14(2006.01)I;C04B35/12(2006.01)I;C04B35/495(2006.01)I;C04B35/50(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I
专利有效期	高温高灵敏度压电陶瓷材料及其制备方法至高温高灵敏度压电陶瓷材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种高温高灵敏度压电陶瓷材料及其制备方法，属陶瓷组成与制备领域。本发明的其组成式为： xPbZrO₃+yPbTiO₃+zPbNbO₃+mSrTiO₃+nLaTiO₃+awt.％SiO₂+bwt.％Cr₂O₃+cw t.％Nb₂O₅+d wt.％La₂O₃；其中，x＝0.4～0.6；y＝0.4～0.5；z＝0.001～0.05；m＝0.0～0.05； n＝0.01～0.05；x+y+z+m+n＝1；a＝0～0.5；b＝0～0.5；c＝0～0.5；d＝0～0.5。本发明在传统压电陶瓷工艺基础上进行改进制备，主要性能为：d₃₃＝500pC/N，ε₃₃^T/ε_o＝1800， g₃₃＝31.4、tgδ＝1.5，Kp＝0.62、Qm＝60，Tc＝352℃，ρ_v(200℃)＝7.8×10⁸Ω·cm；本发明材料具有使用温度高(可达200℃)、灵敏度(g₃₃＝31.4)高、接收信号强，稳定性好的特点。