专利详情

专利名称	一种籽晶温度梯度方法生长碳化硅单晶的装置
申请号	CN201210169399.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102703966A	公开（授权）日	2012.10.03
申请（专利权）人	中国科学院力学研究所	发明（设计）人	陈启生;颜君毅;姜燕妮
主分类号	C30B11/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B11/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I
专利有效期	一种籽晶温度梯度方法生长碳化硅单晶的装置至一种籽晶温度梯度方法生长碳化硅单晶的装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种籽晶温度梯度方法生长碳化硅单晶的装置，包括感应加热装置、真空腔和晶体生长单元，所述感应加热装置包括感应线圈以及为所述感应线圈供电的中频电源，所述感应线圈位于所述真空腔的外部；所述晶体生长单元包括位于真空腔内的石墨感应器、保温材料、石墨坩埚和籽晶托；所述保温材料位于所述石墨感应器的外部；所述石墨坩埚位于所述石墨感应器的内部，所述籽晶托位于所述石墨坩埚的顶部。本发明的装置能够大大降低生产碳化硅单晶所需要的功率，还能避免感应线圈放置在真空室内可能产生真空放电、冷却水通道漏水、石墨粉末污染铜管等问题，具有较高的实用价值。