专利详情

专利名称	一种阻挡层及其制备方法
申请号	CN201110033156.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102623435A	公开（授权）日	2012.08.01
申请（专利权）人	北京泰龙电子技术有限公司;中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王文东;夏洋;李超波;李勇滔;刘邦武;刘训春
主分类号	H01L23/532(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	一种阻挡层及其制备方法至一种阻挡层及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及半导体器件中阻挡层技术领域，具体涉及一种具有多层膜结构的阻挡层及其制备方法。该阻挡层包括TaSiN层，位于TaSiN层上的TaN层，以及位于TaN层上的Ta层。该阻挡层的制备方法，包括如下步骤：采用物理气相沉积方法依次沉积TaSi层、Ta层；将TaSi层、Ta层置于浸没式等离子注入机中注入N生成TaSiN层、TaN层；用物理气相沉积方法在TaN层上沉积Ta层。本发明提供的多层膜结构的阻挡层更加致密，其中的TaSiN/TaN层为非晶结构，不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构，保证其热稳定性更好。