专利详情

专利名称	一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法
申请号	CN201210289657.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102779837A	公开（授权）日	2012.11.14
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈静;伍青青;罗杰馨;柴展;余涛;王曦
主分类号	H01L29/08(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/08(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I
专利有效期	一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法至一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法，属于存储器设计及制造技术领域，所述存储器单元包括两个反相器及传输门，所述反相器由一结构对称的NMOS晶体管及结构对称的PMOS晶体管互连组成，所述传输门由两个源漏结构非对称的NMOS晶体管组成，所述源漏结构非对称NMOS晶体管的源极结构具有袋区及浅掺杂延伸区，而漏极结构不具有袋区及浅掺杂延伸区。本发明采用了具有非对称结构的传输门N型晶体管，通过去掉漏极的浅掺杂延伸区（LDD）和袋区（Pocket）引入的非对称，不改变器件加工工艺，不额外增加版图，不破坏器件使用寿命，且由此引起的电学非对称性明显优于现有的结构。本发明工艺简单，有利于降低成本，适用于工业生产。