专利详情

专利名称	电容式微加速度传感器及其单片制作方法
申请号	CN201210236528.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102721829A	公开（授权）日	2012.10.10
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	车录锋;周晓峰;林友玲;王跃林
主分类号	G01P15/125(2006.01)I	IPC主分类号	G01P15/125(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	电容式微加速度传感器及其单片制作方法至电容式微加速度传感器及其单片制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种电容式微加速度传感器及其单片制作方法，所述加速度传感器为三明治结构，其制作方法不需要键合工艺，直接由单片双器件层SOI硅片制作形成。该加速度传感器具有双面对称直梁-质量块结构，且所述可动质量块的八个角处的直弹性梁，无需采用凸角补偿的结构就可保证最终的质量块为矩形结构，使得预期的器件结构在完成各向异性腐蚀后，能完整保留，器件具有高度法向的对称性。所述制作方法简化了制作三明治结构电容式加速度传感器的工艺，避免了繁琐的键合工艺，降低了制作工艺的难度，提高了工艺效率和可靠性。同时，该方法极大的降低了制造成本，提高了加速度传感器器件性能及器件成品率。