专利详情

专利名称	一种场限环结构
申请号	CN201120209191.4	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202111097U	公开（授权）日	2012.01.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	田晓丽;朱阳军;吴振兴;张彦飞;卢烁今
主分类号	H01L29/739(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I
专利有效期	一种场限环结构至一种场限环结构	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型公开了一种场限环结构，包括第一导电类型的衬底、衬底内的第二导电类型的主结区以及第二导电类型的场限环，z轴方向为主结区及场限环的长度方向，其特征在于，在主结区与相邻场限环之间以及各相邻场限环之间的衬底内、沿z轴方向上形成有PIN结构。通过形成具有PIN结构的场限环结构，使得场限环之间的电场分布形状呈矩形，矩形的电场分布降低了电场峰尖，大大提高了相邻场限环承受的电压，实现了在相对较小的终端面积下具有较高的击穿电压，同时PIN结构难于形成反型层或积累层，可以屏蔽界面电荷的影响，改善电场分布，保证击穿电压的同时提高了可靠性。