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一种纳米图形化系统及其磁场施加装置

  • 申请号:CN201220138269.2
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
  • 公开(公开)号:CN202533709U
  • 公开(公开)日:2012.11.14
  • 法律状态:
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专利详情

专利名称 一种纳米图形化系统及其磁场施加装置
申请号 CN201220138269.2 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN202533709U 公开(授权)日 2012.11.14
申请(专利权)人 中国科学院物理研究所 发明(设计)人 于国强;郭鹏;韩秀峰;郭朝晖;孙晓玉;周向前
主分类号 G03F7/20(2006.01)I IPC主分类号 G03F7/20(2006.01)I;G01R31/00(2006.01)I
专利有效期 一种纳米图形化系统及其磁场施加装置 至一种纳米图形化系统及其磁场施加装置 法律状态
说明书摘要 一种纳米图形化系统及其磁场施加装置,该纳米图形化系统包括真空腔、样品台和磁场施加装置,该磁场施加装置包括电源、磁场产生装置和一对磁极,所述磁场产生装置包括线圈和导磁软铁芯,所述电源与所述线圈连接,所述线圈缠绕在所述导磁软铁芯上以产生磁场,所述导磁软铁芯为半闭合框形结构,所述磁极分别安装在所述半闭合框形结构的两末端,所述纳米图形化系统的真空腔内设置有样品台,所述磁极相对于所述样品台设置在所述真空腔内,所述线圈和所述导磁软铁芯设置在所述真空腔外,所述导磁软铁芯将所述线圈产生的磁场引导进入所述真空腔内,所述磁极用以对所述样品台上的样品进行定位以及局域磁场的施加。

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