专利详情

专利名称	一种具有石墨烯结构的非晶碳膜及其制备方法
申请号	CN201210184049.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102774065A	公开（授权）日	2012.11.14
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	柯培玲;汪爱英;张学谦
主分类号	B32B9/04(2006.01)I	IPC主分类号	B32B9/04(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I
专利有效期	一种具有石墨烯结构的非晶碳膜及其制备方法至一种具有石墨烯结构的非晶碳膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种具有新型特殊结构的非晶碳膜，该非晶碳膜分为上下两层，下层是非晶碳膜，上层位于下层表面、是厚度约为0.5～10nm的多层石墨烯结构薄膜，这为制备石墨烯提供了一种全新的思路。采用磁控溅射沉积法，包括高功率脉冲磁控溅射沉积或普通直流磁控溅射沉积，以高纯石墨为靶材，通过调节衬底负偏压、脉冲磁控溅射电压等参数，在惰性气体保护氛围中，在衬底上溅射沉积0.5～180min而得到该表面具有多层石墨烯结构的非晶碳膜。与现有的石墨烯制备技术相比，本发明能够简单、高效地制得大面积石墨烯，并且工艺环保、对衬底要求较低、无需催化剂、低温沉积、成本低，因此具有重要潜在的研究应用价值。