专利详情

专利名称	CdTe/ZnSe量子点的制备方法
申请号	CN201010275996.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102399559A	公开（授权）日	2012.04.04
申请（专利权）人	中国科学院深圳先进技术研究院	发明（设计）人	胡德红;蔡林涛;张鹏飞;龚萍
主分类号	C09K11/88(2006.01)I	IPC主分类号	C09K11/88(2006.01)I
专利有效期	CdTe/ZnSe量子点的制备方法至CdTe/ZnSe量子点的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种CdTe/ZnSe量子点的制备方法，包括如下步骤：分别制备Te前体溶液、Se前体溶液、Zn前体溶液和Cd溶液；向加热至250℃～300℃的Cd溶液中加入Te前体溶液，并降温至200℃～280℃，得到CdTe量子点；150℃～260℃的温度条件下，向所述CdTe量子点中加入Zn前体溶液，反应1～60min后，再加入Se前体溶液，升温至160℃～350℃反应0.5h～12h，得到CdTe/ZnSe量子点。上述CdTe/ZnSe量子点的制备方法通过前体溶液的连续加入的方法合成了以CdTe为内核的量子点，并在其表面形成了连续、致密、厚度可控制且均匀增长的ZnSe外壳，只需要通过连续加入前体溶液即可，因此在制备过程中具备了设备简单、操作简便、成本低廉、反应时间短、反应条件温和、重现性好、低毒的优点。