鳍式场效应晶体管及其制造方法
- 申请号：CN201110116545.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102768957A
- 公开(公开)日：2012.11.07
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 鳍式场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201110116545.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102768957A | 公开（授权）日 | 2012.11.07 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I |
| 专利有效期 | 鳍式场效应晶体管及其制造方法 至鳍式场效应晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种鳍式晶体管的制造方法，在形成鳍后，通过鳍上形成横跨所述鳍的伪栅条、伪栅条的两侧的侧壁上形成的侧墙以及在伪栅条和侧墙之外的第一介质层和鳍上形成的覆盖层，通过侧墙自对准地在伪栅极两旁形成提升的源漏区，且栅极同所述源漏区的上表面在同一平面上。由于栅极和源漏区上表面在一个平面上，形成接触塞时更容易对准，而且栅极和源漏区由侧墙隔离开，使对准更精确，解决接触塞对准不精确的问题，提高器件的AC性能。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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