专利详情

专利名称	在含有疏水性的硅柱的硅片表面构筑微电极对阵列的方法
申请号	CN201110084311.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102730625A	公开（授权）日	2012.10.17
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	江雷;苏彬;王树涛;马杰;宋延林
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	在含有疏水性的硅柱的硅片表面构筑微电极对阵列的方法至在含有疏水性的硅柱的硅片表面构筑微电极对阵列的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于电子电路领域，涉及在含有疏水性的硅柱的硅片表面上形成大面积定向排列的纳米导线，从而构筑微电极对阵列的方法。本发明采用了在含有亲水性的硅柱阵列的硅片表面上接枝氟硅烷的方法，使得亲水性的硅柱阵列的表面与水的接触角由10°增大到150°以上，得到含有疏水性的硅柱阵列的硅片。驱使含有形成纳米导线的物质的水溶液匀速流经所述疏水性的硅柱阵列的表面，即可大面积、快速地在构成疏水性的硅柱阵列中的相邻的两个硅柱的顶端上形成定向排列的直径为纳米级的纳米导线，并由该纳米导线连接该两个硅柱，从而形成微电极对；多个所述微电极对构成所述的微电极对阵列。本发明可以调节所述纳米导线的粗细、长短、空间排列方式。