一种基于导模干涉的超分辨直写光刻机及其光刻方法
- 申请号:CN201110282032.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学技术大学
- 公开(公开)号:CN102354085A
- 公开(公开)日:2012.02.15
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种基于导模干涉的超分辨直写光刻机及其光刻方法 | ||
申请号 | CN201110282032.1 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102354085A | 公开(授权)日 | 2012.02.15 |
申请(专利权)人 | 中国科学技术大学 | 发明(设计)人 | 陈漪恺;张斗国;王向贤;傅强;王沛;明海 |
主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
专利有效期 | 一种基于导模干涉的超分辨直写光刻机及其光刻方法 至一种基于导模干涉的超分辨直写光刻机及其光刻方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种基于导模干涉的超分辨直写光刻机及其光刻方法,该光刻机包括:激光光源,近端反射镜,偏振元件组,光刻胶,金属薄膜,玻璃基底,匹配油,棱镜和远端反射镜;激发光源发出的激光束激发光刻胶层前向传播的导模,经金属薄膜与玻璃基底的分界面反射的激光,通过右侧的远端反射镜反射后,再次入射到上述分界面,并激发光刻胶层后向传播的导模;两束导模在光刻胶层相互干涉形成周期场,曝光光刻胶,经显影、定影等后续工艺处理,便可在金属薄膜上实现高宽比、长宽比均较大的大面积亚波长光栅的制备;本发明基于激光激发的导波模式,其损耗小、传输距离长,能实现高宽比、长宽比均较大的亚波长光栅的大面积刻写。 |
交易流程
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